Главная | RSS News
 
 

Подсистемы параметрической верификации

В [95] приводятся результаты разработки подсистемы параметрической верификации, адаптированной к САПР коммутационных плат. Для реализации данной подсистемы разработаны модели интегральных схем, соединителей, а также линий связи, входящих в состав цифровых узлов, методы и алгоритмы оценки их помехозащищенности, которые позволяют синтезировать полную модель цифровых узлов и устанавливать их работоспособность с использованием программ анализа электронных схем. Подсистема параметрической верификации в САПР коммутационных плат позволяет в едином цикле автоматизированного проектирования цифровых узлов оценить времена задержек распространения сигналов в линиях связи, уровни помех отражения и перекрестных помех и за счет этого свести к минимуму корректировку конструкций плат по результатам экспериментальных исследований макетных образцов.
В печатных платах с двухслойным диэлектриком (третий слой – внешняя среда) возможна эффективная компенсация прямой перекрестной помехи (т.е. помехи на нагрузочном конце) пассивной линии для структурно-топологических вариантов расположения проводников: двух отрезков связанных межсоединений [378, 379, 380]; нескольких параллельных проводников [48, 50]. Данные структурно-топологические варианты расположения проводников, несомненно, позволяют уменьшить (компенсировать) прямую перекрестную помеху, но при этом накладывают значительные ограничения на конструктивные параметры проводников, печатной платы и их соотношения, которые не всегда удается соблюдать. Кроме того, эти структурно-топологические варианты расположения проводников являются оптимальными лишь с точки зрения прямой перекрестной помехи и абсолютно не учитывают другие типы электромагнитных помех (например, задержки сигналов в межсоединениях, внешние электромагнитные помехи и т.д.).
В новой конструкции платы [129] повышение скорости распространения сигнала достигается использованием миниатюрного коаксиального кабеля с изоляцией из материала с низкой диэлектрической проницаемостью (). Наружный диаметр кабеля составляет 0,24 мм, а диаметр внутреннего проводника – 0,079 мм. Имеются две модификации кабеля – с изоляцией из тефлона ( =2,2) и из вспененного тефлона ( =1,3). Данные платы, как правило, применяются в электронных устройствах с тактовыми частотами, лежащими в пределах 1-4 ГГц, так как материал с более высокой диэлектрической проницаемостью уже создает значительные задержки сигналов. Новые платы используются, главным образом, для размещения кристаллов арсенид-галлиевых интегральных схем.

Прочитало: 1852
 
 
Календарь
 
«    Октябрь 2013    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 
 

Меню
  »  Классификация портов проникновения ЭМИ
»  Задачи ЭМС ЭС при внешних воздействиях
»  Средства электромагнитного террора
»  Методы и средства анализа воздействия ЭМИ на ЭС
»  Анализ эффективности экранирования корпусов ЭС
»  Экранирование э.-м. воздействий стенами ИЗ
»  Цель и методы оптимизации
»  Оптимизация внутриаппаратурной ЭМС межсоединений
»  Многокритериальная оптимизация
 
 

Архивы
 Октябрь 2008 (17)
Сентябрь 2008 (30)
Август 2008 (19)
 
 

Популярное
   
 

Реклама
  сковороды green pan марки
Статьи
Ещё
 
 

 
 
E-M-P.Ru 1, 2